i23 1700V 900A系列IGBT模块采用经典ED封装，i23芯片采用微精细沟槽栅技术，实现超低损耗Eon+Eoff，同时也具有高短路能力，以解决芯片高电流密度面临的挑战。支持长期运行结温175°C（Tvjop），集成NTC温度传感器，确保高温工况下的稳定运行，显著增加了器件的输出能力，大幅提高系统的功率密度，为风电、工控和新能源等领域带来突破性的解决方案。

产品型号

• SISD0900ED170i23

产品特点

• i23超低损耗、微精细沟槽栅IGBT芯片组

• 加强 AI2O3绝缘陶瓷基板

• 低热阻铜底板

• 优化行业标准封装，显著降低内部阻抗与接线端温升

竞争优势

• 基于多年功率半导体研发经验优化的自研IGBT与二极管芯片组

• 900A大电流功率模块封装设计：铜线绑定+大面积功率端子优化，提升载流与散热能力

• 单模块支持900A高电流输出，简化系统设计，降低系统综合成本

• 跨领域高性能解决方案，灵活匹配多元化应用场景

• 生产制造与质量保障体系，确保业务连续性

应用领域

• 风力发电

• 工控

• SVG

• 高压变频

• 高压级联储能

• 轨道交通

• 电能质量

1700V 900A i23 ED封装半桥IGBT模块，现已量产。欢迎广大客户访问赛晶亚太半导体公司网站 https://www.swiss-sem.com/，查阅详情、索取样品。